第93章 最误打误撞的一集（3/5）

也正因如此，华国方面天然希望和东德围绕此事达成合作，用东德的内力来培养自己的实力。

“黄博士，你说的很美好，但现在的问题是，我们如何能够相信你们？”

黄昆从自己的公文包里抽出一份文件：“这是一份关于离子注入全过程模拟的论文，你们可以回去看看，这篇论文足够展示我们的能力。”

如果说和李志强聊的内容都是空话，一点进展都没有的话，那么和黄昆聊的就属于干货太多。

里面很多内容，即便是资深从业人士，也无法判断真假。

魏斯和穆勒二人觉得很有收获，但这收获到底价值几何，他们无法判断。

“黄博士，我们回柏林之后一定认真研究您的这篇论文，后续非常期待和华国方面能够达成合作。”

黄昆看着对方离去的背影，内心希望能够不受zz环境的影响，和东德达成合作。

阿美莉卡给的压迫太足了，足到他们不得不把这种关于离子注入的部分研究结果掏出来，希望借此获得和东德的合作。

如果不是阿美莉卡，他们其实完全不介意慢慢研发，慢慢爬科技树。

东德科学院的一间会议室内，气氛严肃而专注。

穆勒和汉斯眼前坐着的是赫尔曼教授，负责科研项目决策的专家，除了赫尔曼之外还有马尔蒂斯·法尔特，他是东德半导体的核心人物。

他正坐在桌前，手中拿着一篇刚刚从中国传来的论文。

他的眉头紧锁，眼中闪烁着震惊与兴奋交织的光芒。

法尔特深吸一口气，缓缓开口，声音中透露出难以掩饰的激动：

“和黄所说的一样，他们构建的这套理论，描述了离子在固体中分布和停留，完全可以看作是这个领域的标准模型。

它描述了高能离子束轰击硅晶体时，离子在材料中的分布规律。理论的核心是离子能量损失的两种机制，也就是核阻止和电子阻止。

黄通过求传输方程，给出了离子在材料中的深度分布，它认为这样的分布近似于高斯分布。

哦天哪！他甚至还根据离子种类和能量，试图去精确计算离子平均的穿透深度和分布的方差。”

法尔特的手指在论文上划过，指向一幅高斯分布曲线，

“你们看这里，他们展示了掺杂剂在硅晶体中的深度分布，并用霍尔效应测量验证了结果，模拟与实验数据高度吻合。

只是受限于实验设备，他们的实验做的比较粗糙，最终离子注入的效果也不够好。

但他们的实验结果虽然不好，但实验结果和计算模拟的结果非常吻合！

不愧是黄，在理论物理上的造诣，有着大师级水准。”

赫尔曼问道：“法尔特教授，有没有可能华国人伪造了实验数据？”

法尔特摇头道：“没有必要，因为实验我们能够复现。

他们用来模拟的实验结果用的就是基础设备，又不是二次离子质谱技术。

总之如果快的话，我们这几天就能模拟一个结果出来，看和华国的模型结果是否一致。